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MOS FET 继电器
G3VM-61BR/ER
MOS FET继电器

 

最适合应用于模拟信号开关的高电容(2.5A)新型MOS FET继电器

 
 
  • 可适用于微小模拟信号的开关。
  • 低导通电阻(0.1Ω最大)。
  • 连续负载电流2.5A。


种类

接点结构

端子种类

负载电压

型号

1a 印刷电路板用端子 AC60V峰值 G3VM-61BR
表面安装端子 G3VM-61ER
G3VM-61ER(TR)

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额定值|性能

·绝对最大额定(Ta =25℃)

项目
符号 额定 单位 条件

输入侧

LED正向电流 IF 30 mA  
反复峰值LED正向电流 IFP 1 A 100µs脉冲、100pps
直流正向电流降低比率 △IF/℃ -0.3 mA/℃ Ta 25℃
LED反向电流 VR 5 V  
粘合部位温度 TJ 125  

输出侧

输出耐压 VOFF 60 V  
连续负载电流 IO 2500 mA  
导通电流降低比率 △ION/℃ -22 mA/℃ Ta 25℃
粘合部位温度 TJ 125  

输入输出间耐压(注1)

VI-O 2500 Vrms AC持续1分钟

使用环境温度

Ta -20~+85 不结冰、凝露

贮藏温度

Tstg -40~+125 不结冰、凝露

焊接温度条件

260 10s
(注1): 测量输入输出间的耐压时,分别对LED 针脚、受光侧针脚统一地施加电压。
·电气性能(Ta=25℃)

项目
符号 最小 标准 最大 单位 条件

输入侧

LED正向电流 VF 1.18 1.33 1.48 V IF=10mA
反向电流 IR 10 µA VR=5V
端子间电容 CT 70 pF V=0、f=1MHz
触发LED反向电压 IFT 1.0 3 mA IO=1A

输出侧

最大输出导通电阻   0.065 0.1 Ω IF=10mA、IO=2A
开路时漏电流 ILEAK 1.0 10 nA VOFF=60V

输入输出间电容

CI-O 0.8 pF f=1MHz、VS=0V

输入输出间电容绝缘电阻

RI-O 1000 VI-O=500VDC ROH 60%

动作时间

tON 1.0 1.5 ms IF=10mA、RL=200Ω、VDD=20V(注2)

回复时间

tOFF 0.2 0.4 ms
(注2): 动作· 回复时间

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外形尺寸

(单位:mm)
G3VM-61BR
宍G3VM-61BR:奜宍1
质量:0.4 g
※标记内容与实际商品有所不同。


印刷电路板加工尺寸(BOTTOM VIEW)
宍G3VM-61BR:奜宍2

端子布置/内部接线图(TOP VIEW)
宍G3VM-61BR:奜宍3

G3VM-61ER

宍G3VM-61ER:奜宍1
质量:0.4g
※标记内容与实际商品有所不同。


安装衬垫尺寸(推荐值)(TOP VIEW)
宍G3VM-61ER:奜宍3
端子布置/内部接线图(TOP VIEW)
宍G3VM-61ER:奜宍2

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