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MOS FET 继电器
G3VM-61G1
MOS FET继电器

 

最适合应用于微小信号和模拟信号开关的MOS FET继电器

 
 
  • 更新G3VM-S1系列。
  • 连续负载电流400mA 。
  • 输入输出间耐压1500Vrms。


种类


接点结构

端子种类

负载电压

型号

1a

表面安装端子

AC60V峰值

G3VM-61G1

G3VM-61G1(TR)


top

额定值|性能

·绝对最大额定(Ta=25℃)

项目

符号

额定

单位

条件

输入侧

LED正向电流

IF

50

mA

 

反复峰值LED正向电流

IFP

1

A

100µs脉冲、100pps

直流正向电流降低比率

△IF/℃

-0.5

mA/℃

Ta25℃

LED反向电流

VR

5

V

 

粘合部位温度

TJ

125

 

输出侧

输出耐压

VOFF

60

V

 

连续负载电流

IO

400

mA

 

导通电流降低比率

△ION/℃

-4.0

mA/℃

Ta25℃

粘合部位温度

TJ

125

 

输入输出间耐压(注1)

VI-O

1500

Vrms

AC持续1分钟

使用环境温度

Ta

-40~+85

不结冰、凝露

贮藏温度

Tstg

-55~+125

不结冰、凝露

焊接温度条件

260

10s

(注1):测量输入输出间的耐压时,分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。
·电气性能(Ta= 25℃)

项目

符号

最小

标准

最大

单位

条件

输入侧

LED 正向电压

VF

1.0

1.15

1.3

V

IF=10mA

反向电流

IR

10

µA

VR=5V

端子间电容

CT

30

pF

V=0、f=1MHz

触发LED正向电流

IFT

1.6

3

mA

IO=400mA

输出侧

最大输出导通电阻

RON

1

2

Ω

IF=5mA、IO=400mA

开路时漏电流

ILEAK

1.0

µA

VOFF=60V

输入输出间电容

CI-O

0.8

pF

f=1MHz、VS=0V

输入输出间电容绝缘电阻

RI-O

1000

VI-O=500VDC、ROH60%

动作时间

tON

0.8

2.0

ms

IF=5mA、RL=200Ω、VDD=20V(注2)

回复时间

tOFF

0.1

0.5

ms

(注2): 动作· 回复时间

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外形尺寸

(单位:mm)
G3VM-61G1
宍G3VM-61G1:奜宍1
质量:0.1 g
※标记内容与实际商品有所不同。


安装衬垫尺寸(推荐值)(BOTTOM VIEW)
宍G3VM-61G1丗奜宍2

端子布置/内部接线图(TOP VIEW)
宍G3VM-61G1丗奜宍3

top
 
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