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MOS FET 继电器
G3VM-81G1
MOS FET继电器

 

使MOS FET和红外发光二极管进行光结合的MOS FET继电器新推出负载电压80V系列产品,SOP4脚封装

 
 
  • 连续负载电流350mA。
  • 输入输出间耐压1500Vrms。


种类

接点结构

端子种类

负载电压

型号

1a

表面安装端子

AC80V峰值

G3VM-81G1

G3VM-81G1(TR)


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额定值|性能

·绝对最大额定(Ta=25℃)

项目
符号 额定 单位 条件

入输侧

LED正向电流 IF 50 mA  
反复峰值LED正向电流 IFP 1 A 100µs脉冲、100pps
直流正向电流降低比率 △IF/℃ -0.5 mA/℃ Ta 25℃
LED反向电流 VR 5 V  
粘合部位温度 TJ 125  

出输侧

输出耐压 VOFF 80 V  
连续负载电流 IO 350 mA  
导通电流降低比率 △ION/℃ -3.5 mA/℃ Ta 25℃
粘合部位温度 TJ 125  

输入输出间耐压(注1)

VI-O 1500 Vrms AC持续1分钟

使用环境温度

Ta -40~+85 不结冰、凝露

贮藏温度

Tstg -55~+125 不结冰、凝露

焊接温度条件

260 10s
(注1):测量输入输出间的耐压时,分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。
·电气性能(Ta=25℃)

项目
符号 最小 标准 最大 单位 条件

入输侧

LED正向电压

VF 1.0 1.15 1.3 V IF=10mA

反向电流

IR 10 µA VR=5V

端子间电容

CT 15 pF V=0、f=1MHz

触发LED正向电流

IFT 1.0 4.0 mA IO=350mA

出输侧

最大输出导通电阻

RON 1.0 1.2 Ω IF=5mA、IO=350mA

开路时漏电流

ILEAK 0.2 1.0 nA VOFF=30V、Ta=50℃

输入输出间电容

CI-O 0.8 pF f=1MHz、VS=0V

输入输出间电容绝缘电阻

RI-O 1000 VI-O=500VDC、ROH60%

动作时间

tON 0.3 0.5 ms IF=5mA、RL=200Ω、VDD=20V(注2)

回复时间

tOFF 0.3 0.5 ms
(注2): 动作· 回复时间
宍G3VM-61BR/ER:愙懕椺

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外形尺寸

(单位:mm)
G3VM-81G1
宍G3VM-61GR1:奜宍1
质量:0.1 g
※标记内容与实际商品有所不同。


安装衬垫尺寸(推荐值)(BOTTOM VIEW)
宍G3VM-61GR1:奜宍2

端子布置/内部接线图(TOP VIEW)
宍G3VM-61GR1:奜宍3

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选型参考信息
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