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EE-SX1340 微型光电传感器(透过型)

小型槽型·SMD型(槽宽:4mm)

  • SMD型实现槽宽4mm
  • 印刷电路板表面封装型
  • 高分辨率(狭缝宽:0.5mm)
RoHS 指令
注意:此网页提供了数据表的摘录。有关详细信息,请参阅产品数据表和其他适用的文件。
绝对最大额定值(Ta=25℃)
项目
符号
额定值
单位
条件
发光侧 正向电流 IF 30 mA --- *1
脉冲正向电流 IFP 100 mA 占空比1%,脉冲宽度0.1ms
反向电压 VR 4 V ---
受光侧 集电极·发射极之间电压 VCEO 12 V ---
发射极·集电极之间电压 VECO 5 V ---
集电极电流 IC 20 mA ---
集电极损耗 PC 50 mW --- *1
动作温度 Topr -30 ~ 85 ºC --- *1
储存温度 Tstg -40 ~ 100 ºC --- *1
回流焊接温度 Tsol 255 ºC 10 秒内*2
*1. 即使在规定条件内,也请根据温度额定值图适时地减小电压和电流。此外,请避免结冰、凝露。
*2. 回流焊接请按照封装注意事项中记载的条件进行作业。

电气及光学特性(Ta=25℃)
项目
符号
特性值
单位
条件
MIN.
TYP.
MAX.
发光侧 正向电压 VF --- 1.2 1.5 V IF = 30mA
反向电流 IR --- 0.01 10 µA VR = 4V
峰值发光波长 λP --- 940 --- nm IF = 20mA
受光侧 光电流 IL 0.55 --- 5.5 mA IF = 20mA,
VCE = 10V
暗电流 ID --- 10 200 nA VCE = 10V,
0×
集电极·发射极之间饱和电压 VCE (sat) --- 0.1 0.4 V IF = 20mA,
IL =0.1mA
峰值分光灵敏度波长 λP --- 900 --- nm VCE = 5V
上升时间 tr --- 11 --- µs VCC = 5V,
RL = 100Ω,
IL = 1mA *
下降时间 tf --- 14 --- µs VCC = 5V,
RL = 100Ω,
IL = 1mA *
* 上升时间、下降时间的定义如下图所示。 EE-SX1340:Characteristics1

外装规格
连接方式 重量 (g) 材质
外壳
表面封装型 0.2 PPS
(单位: mm)
狭缝尺寸(纵×横)
发光侧 受光侧
1.04 × 1.4 1.4 × 0.5

内部电路
EESX1340:外形
端子记号 名称
(1) 阳极端子
(2) 阴极端子
(3) 集电极
(4) 不连接
(5) 发射极
未指定的尺寸公差为±0.2。