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G3VM-61QR MOS FET继电器

小级别的封装S-VSON全新上市实现低C×R的MOS FET继电器

  • 负载电压 60V
  • 低C×R=13.2pF·Ω、COFF(标准)=12pF、RON(标准)=1.1Ω
  • 支持高温(使用环境温度:-40℃~110℃)
RoHS 指令
注意:此网页提供了数据表的摘录。有关详细信息,请参阅产品数据表和其他适用的文件。

订购信息

种类
形状 接点结构 端子种类 负载电压
(最大)∗1
连续负载电流
(最大)∗1
包装状态/卷切 包装状态/带状
型号 最小包装单位 型号 最小包装单位
S-VSON4 1a (SPST-NO) 表面安装端子 60 V 400 mA G3VM-61QR 1 个 G3VM-61QR
(TR05)
500 个

绝对最大额定值

(Ta = 25°C)

种类
项目 符号 额定值 单位 条件
输入侧 LED正向电流 IF 30 mA  
直流正向电流降低比率 △IF/℃ -0.3 mA/ºC Ta≥25ºC
LED反向电压 VR 6 V  
粘合部位温度 TJ 125 ºC  
输出侧 负载电压(峰值AC/DC) VOFF 60 V  
连续负载电流(峰值AC/DC) IO 400 mA  
导通电流降低比率 △IO/℃ −4 mA/ºC Ta≥25ºC
脉冲导通电流 Iop 1.2 A t=100ms, Duty=1/10
粘合部位温度 TJ 125 ºC  
输入输出间耐电∗1 VI-O 500 Vrms AC持续1分钟
使用环境温度 Ta -40 ~ +110 ºC  
保存温度 Tstg -40 ~ +125 ºC 无结冰、无结露
焊接温度条件 260 ºC 10 s

电气性能

(Ta = 25°C)

种类
项目 符号 最小 标准 最大 单位 条件
输入侧 LED正向电压 VF 1.1 1.21 1.4 V IF=10mA
反向电流 IR --- --- 10 µA VR=5V
端子间电容 CT --- 30 --- pF V=0,f=1MHz
触发LED正向电流 IFT --- --- 3 mA IO=100mA
复位LED正向电流 IFC 0.1 --- --- mA IOFF=10μA
输出侧 最大输出导通电阻 RON --- 1.1 1.5 Ω IO=400mA, IF=5mA, t<1s
开路时漏电流 ILEAK --- --- 1000
(1)
nA VOFF=60V
(VOFF=50V)
端子间电容 COFF --- 12 20 pF V=0,f=100MHz,
t<1s
输入输出间电容 CI-O --- 0.9 --- pF f=1MHz,Vs=0V
输入输出间电容绝缘电阻 RI-O --- 108 --- VI-O=500VDC,
RoH≤60%
动作时间 tON --- --- 0.5
(0.25)
ms IF=5mA,RL=200Ω,
VDD=20V
(IF=10mA,RL=200Ω,
VDD=20V)∗2
复位时间 tOFF --- --- 0.3
(0.3)
ms

外观

S-VSON

  • S-VSON4 针
    S-VSON4 pin
  • * 标记内容与实际商品有所不同。
    型号 显示
    G3VM-61QR 6Q0

外形尺寸

(单位: mm)

  • 表面安装端子

    (质量: 0.01g)

    Surface-mounting Terminals
  • 实际焊盘尺寸

    (推荐值, Top View)

    Actual Mounting Pad Dimensions

    未指定部分的尺寸公差为±0.1mm。

    端子配置/内部接线图

    (Top View)

    Terminal Arrangement / Internal Connections

请正确使用

共通注意事项请参阅“MOS FET继电器共通注意事项”。