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G3VM-61B1 MOS FET继电器

最适合应用于模拟信号开关的MOS FET继电器,可对应AC2.5KV的输入输出间耐压和开闭大电流场合

  • G3VM-61B/E 系列的升级。
  • 可用于微笑模拟信号的开关。
  • 输出继电器开路时漏电流在1μA 以下。
RoHS 指令
注意:此网页提供了数据表的摘录。有关详细信息,请参阅产品数据表和其他适用的文件。

种类

形状 接点结构 端子种类 负载电压(最大)* 型号 每杆装数量 每卷装数量
DIP6 1a 印刷基板用端子 60V G3VM-61B1 50
表面安装端子 G3VM-61E1
G3VM-61E1(TR) 1,500

*负载电压(最大):表示峰值AC、DC。

绝对最大额定(Ta  25

项目 符号 额定 单位 条件
输入侧 LED正向电流 IF 50 mA  
反复峰值LED正向电流 IFP 1 A 100μs脉冲、100pps
直流正向电流降低比率 △IF/℃ -0.5 mA/℃ Ta≧25℃
LED反向电流 VR 5 V  
粘合部位温度 TJ 125  
输出侧 输出耐压 VOFF 60 V  
连续负载电流 A连接 IO 500 A A连接:峰值AC/DC
B、C连接:DC
B连接 500
C连接 1000
导通电流降低比率 A连接 △IO/℃ -5 mA/℃ Ta≧25℃
B连接 -5
C连接 -10
脉冲导通电流 Iop 1.5 A t=100ms、Duty=1/10
粘合部位温度 TJ 125  
输入输出间耐压(注1) VI-O 2500 Vrms AC持续1分钟
使用环境温度 Ta -40~+85 无结冰、无冷凝
贮藏温度 Tstg -55~+125 无结冰、无冷凝
焊接温度条件 260 10s
(注1):测量输入输出间的耐压时,分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。

电气性能(Ta 25

项目 符号 最小 标准 最大 单位 条件
输入侧 LED正向电流 VF 1.0 1.15 1.3 V IF=10mA
反向电流 IR 10 μA VR=5V
端子间电容 CT 30 pF V=0、f=1MHz
触发LED反向电压 IFT 1.6 3 mA IO=500mA
复位LED反向电压 IFC 0.1 mA IOFF=100μA
输出侧 最大输出导通电阻 A连接 RON 1 2 Ω IF=5mA、Io=500mA
B连接 0.5 1 Ω IF=5mA、Io=500mA
C连接 0.25 Ω IF=5mA、Io=500mA
开路时漏电流 ILEAK 1.0 μA VOFF=60V
端子间电容 COFF 130 pF V=0、f=1MHz
输入输出间电容 CI-O 0.8 pF f=1MHz、VS=0V
输入输出间电容绝缘电阻 RI-O 1000 108 VI-O=500VDC、ROH≦60%
动作时间 tON 0.8 2.0 ms IF=5mA RL=200Ω、VDD=20V(注2)
复位时间 tOFF 0.1 0.5 ms
(注2): 动作· 复位时间

(単位:mm)

G3VM-61B1
形G3VM-601BY:外形1

重量:0.4g
注. 标记内容与实际商品有所不同

G3VM-61E1

重量:0.4g
注. 标记内容与实际商品有所不同
印刷基板加工尺寸(BOTTOM VIEW)
实际焊盘尺寸(推荐值)(TOP VIEW)

端子配置/内部接线图

注1:标记内容与实际商品有所不同

2:产品的型号中没有标明"G3VM”

注3:1引脚标记的对角测留有冲压模具冲压出的的印记。