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G3VM-61ER MOS FET继电器

最适合应用于模拟信号开关的高电容(2.5A) 新型MOS FET继电器

  • 可适用于微小模拟信号的开关。
  • 低导通电阻(0.1Ω最大)。
  • 连续负载电流2.5A。
RoHS 指令
注意:此网页提供了数据表的摘录。有关详细信息,请参阅产品数据表和其他适用的文件。

种类

形状 接点结构 端子种类 负载电压(最大)* 型号 最小包装单位
每杆装数量 每卷装数量
DIP6 1a 印刷电路板用端子 60V G3VM-61BR 50
表面安装端子 G3VM-61ER
G3VM-61ER(TR) 1,500
* 负载电压(最大):表示峰值AC、DC


绝对最大额定(Ta 25

项目 符号 额定 单位 条件
输入侧 LED正向电流 IF 30 mA  
直流正向电流降低比率 △IF/℃ -0.3 mA/℃ Ta≧25℃
LED反向电压 VR 5 V  
粘合部位温度 TJ 125  
输出侧 负载电压(峰值AC/DC) VOFF 60 V  
连续负载电流(峰值AC/DC) IO 2500 mA  
导通电流降低比率 △ION/℃ -22 mA/℃ Ta≧25℃
粘合部位温度 TJ 125  
输入输出间耐压(注1) VI-O 2500 Vrms AC持续1分钟
使用环境温度 Ta -20~+85 无结冰、无凝露
贮藏温度 Tstg -40~+125 无结冰、无凝露
焊接温度条件 260 10s
(注1): 测量输入输出间的耐压时,分别对LED 针脚、受光侧针脚统一地施加电压。

电气性能(Ta 25

项目 符号 最小 标准 最大 单位 条件
输入侧 LED正向电压 VF 1.18 1.33 1.48 V IF=10mA
反向电流 IR 10 μA VR=5V
端子间电容 CT 70 pF V=0、f=1MHz
触发LED反向电流 IFT 1.0 3 mA IO=1A
输出侧 最大输出导通电阻 RON 0.065 0.1 Ω IF=10mA、IO=2A、t=10ms
开路时漏电流 ILEAK 1.0 1.0 μA VOFF=60V
端子间电容 C0FF 400 600 pF V=0、f=1MHz
输入输出间电容 CI-O 0.8 pF f=1MHz、VS=0V
输入输出间电容绝缘电阻 RI-O 1000 VI-O=500VDC、ROH≦60%
动作时间 tON 1.0 1.5 ms IF=5mA 、RL=200Ω、VDD=20V(注2)
复位时间 tOFF 0.2 0.4 ms
(注2): 动作· 复位时间
(単位:mm)
G3VM-61BR
形G3VM-601BY:外形1
重量:0.4g
注. 标记内容与实际商品有所不同
G3VM-61ER
形G3VM-601EY:外形1
重量:0.4g
注. 标记内容与实际商品有所不同
印刷基板加工尺寸(BOTTOM VIEW)
形G3VM-601BY:外形2
实际焊盘尺寸(推荐值)(TOP VIEW)
形G3VM-601EY:外形2

端子配置/内部接线图

注. 产品的型号中没有标明:G3VM