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G3VM-21GR MOS FET继电器

低实现低C*R=5pF.Ω的新型MOS FET继电器负载电压20V型

  • 特别注重高频特性的输出端子容量=1PF(标准)
  • 开路时漏电流1.0nA(最大)
RoHS適合
本ページは製品カタログからの抜粋した情報を記載しています。その他の製品情報はデータシート他各種データをご覧ください。

种类

接点结构 端子种类 负载电压 型号 最小包装单位
固定杆数数量 编带包装数量
1a 表面安装端子 AC20V峰值 G3VM-21GR 100
G3VM-21GR(TR) 2500


绝对最大额定(Ta 25

项目

符号 额定 单位 条件

输入侧

LED正向电流 IF 50 mA
反复峰值LED正向电流 IFP 1 A 100μs脉冲、100pps
直流正向电流降低比率 △IF/℃ -0.5 mA/℃ Ta >=25℃
LED反向电流 VR 5 V
粘合部位温度 TJ 125

输出侧

输出耐压 VOFF 20 V
连续负载电流 IO 160 mA
导通电流降低比率 △ION/℃ -1.6 mA/℃ Ta >=25℃
粘合部位温度 TJ 125

输入输出间耐压(注1)

VI-O 1500 Vrms AC持续1分钟

使用环境温度

Ta -20~+85 不结冰或凝露

贮藏温度

Tstg -40~+125 不结冰或凝露

焊接温度条件

260 10s
(注1):测量输入输出间的耐压时,分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。

电气性能(Ta 25

项目

符号 最小 标准 最大 单位 条件

输入侧

LED正向电压 VF 1.0 1.15 1.3 V IF=10mA
反向电流 IR 10 μA VR=5V
端子间电容 CT 15 pF V=0、f=1MHz
触发LED正向电流 IFT 4 mA IO=100mA

输出侧

最大输出导通电阻 RON 5 8 Ω IF=5mA、IO=160mA、T<1S
开路时漏电流 ILEAK 1.0 μA VOFF=20V Ta=50℃
端子间电容 COFF 1.0 2.5 pF V=0、f=100MHz T<1S

输入输出间电容

CI-O 0.8 pF f=1MHz、VS=0V

输入输出间电容绝缘电阻

RI-O 1000 VI-O=500VDC、ROH<=60%

动作时间

tON 0.5 ms IF=10mA、RL=200Ω、VDD=20V(注2)

回复时间

tOFF 0.5 ms

(注2): 动作· 回复时间


(单位:mm)
G3VM-21GR
形G3VM-21GR:外形1
重量:0.1g
注. 标记内容与实际商品有所不同
实际焊盘尺寸(推荐值)(TOP VIEW)
形G3VM-21GR:外形2
端子配置/内部接线图
形G3VM-21GR:外形3

注. 产品的型号中没有标明“G3VM”。

※ 1引脚标记和对角的凹痕是冲压模具冲压出的印记