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G3VM-41LR11 MOS FET继电器

世界最小※SSOP包装,实现低C×R=5pF·Ω的新型MOS FET继电器(Coff(标准)=0.7pF、Ron(标准)=7Ω),负载电压40V型

  • 抑制输出信号衰减的导通电阻=7Ω(标准)。※2011年3月。本公司调查。
RoHS 指令
注意:此网页提供了数据表的摘录。有关详细信息,请参阅产品数据表和其他适用的文件。

种类

形状 接点结构 端子种类 负载电压(最大)* 型号 最小包装单位
每卷装数量
SSOP4 1a 表面安装端子 40V G3VM-41LR11
G3VM-41LR11(TR05) 500
G3VM-41LR11(TR) 1,500
(注):订购数量不满500个、1,500个时,请垂询本公司经销商,可对应卷切。
以卷切品购入的SSOP产品因无防湿包装,请在封装时进行手工焊接。
请参考「共通注意事项」。
*负载电压(最大):表示峰值AC、DC。

绝对最大额定(Ta 25

项目 符号 额定 单位 条件
输入侧 LED正向电压 IF 30 mA
直流正向电流降低比率 △IF/℃ -0.3 mA/℃ Ta≧25℃
LED反向电流 VR 5 V
粘合部位温度 TJ 125
输出侧 负载电压(峰值AC/DC) VOFF 40 V
连续负载电流 (峰值AC/DC) Io 140 mA
导通电流降低比率 △Io/℃ -1.4 mA/℃ Ta≧25℃
粘合部位温度 TJ 125
输入输出间耐压(注1) VI-O 1500 Vrms AC持续1分钟
使用环境温度 Ta -20~+85 不结冰、无凝露
贮藏温度 Tstg -40~+125 不结冰、无凝露
焊接温度条件 260 10s
(注1):测量输入输出间的耐压时,分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。

电气性能(Ta 25

项目 符号 最小 标准 最大 单位 条件
输入侧 LED正向电压 VF 1.15 1.30 1.45 V IF=5mA
反向电流 IR 10 μA VR=5V
端子间电容 CT 70 pF V=0、f=1MHz
触发LED正向电流 IFT 3 mA Io=100mA
输出侧 最大输出导通电阻 RON 7 10 Ω IF=5mA、Io=140mA、t<1s
开路时漏电流 ILEAK 10 200 pA VOFF=35V、Ta=25℃
端子间的电容 C0FF 0.7 1.3 pF V=0、f=100MHz、T<1s
输入输出间电容 CI-O 0.3 pF f=1MHz、Vs=0V
输入输出间电容绝缘电阻 RI-O 1000 VI-O=500VDC、RoH≦60%
动作时间 tON 0.2 ms IF=5mA、RL=200Ω、VDD=10V(注2)
复位时间 tOFF 0.2 ms

(注2): 动作· 复位时间


(单位:mm)
形G3VM-41LR11
形G3VM-21LR1:外形1
重量:0.3g
注. 标记内容与实际商品有所不同
实际焊盘尺寸(推荐值)(TOP VIEW)
形G3VM-21LR1:外形2
端子配置/内部接线图
形G3VM-21LR1:外形3
注. 产品的型号中没有标明:G3VM