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G3VM-41QR10 MOS FET继电器

世界最小级别*的封装S-VSON全新上市 实现低C×R的MOS FET继电器

  •  负载电压40V/60V
  •  G3VM-41QR10:低C×R=4.95pF·Ω、COFF(标准)=0.45pF、RON(标准)=11Ω
  • G3VM-61QR:低C×R=13.2pF·Ω、COFF(标准)=12pF、RON(标准)=1.1Ω
  • 支持高温(使用环境温度:-40℃~110℃)
RoHS適合
本ページは製品カタログからの抜粋した情報を記載しています。その他の製品情報はデータシート他各種データをご覧ください。

种类

形状       接点结构端子种类

负载电压 (最大)*

连续负载电流(最大)*

         封装/卷切       封装/带卷式
型号最小包装单位(个)型号最小包装单位(个)

S-VSON

(L)4

1a表面安装端子40V

120mA

G3VM-41QR101

G3VM-41QR10

(TR05)

500
*负载电流(最大)、负载电压(最大):表示峰值AC、DC.

绝对最大额定(Ta  25

项目符号额定单位条件
输入侧LED正向电流IF30mA 
直流正向电流降低比率△IF/℃-0.3mA/℃Ta≧25℃
LED反向电压VR6V 
接合部温度TJ125 
输出侧负载电压(峰值AC/DC)VOFF40V 
连续负载电流(峰值AC/DC)IO120mA 
导通电流降低比率△ION/℃-1.2mA/℃Ta≧25℃
脉冲导通电流Iop0.36At=100ms、Duty=1/10
接合部温度TJ125 
输入输出间耐压(注1)VI-O500VrmsAC持续1分钟
使用环境温度Ta-40~+110无结冰、无凝露
保存温度Tstg-40~+125
焊接温度条件26010s
(注1): 测量输入输出间的耐压时,分别对LED 针脚、受光侧针脚统一地施加电压。

电气性能(Ta 25

项目符号最小标准最大单位条件
输入侧LED正向电压VF1.11.211.4VIF=10mA
反向电流IR10μAVR=5V
端子间电容CT30pFV=0、f=1MHz
触发LED反向电流IFT0.83mAIO=100mA
复位LED反向电流IFC0.1mAIOFF=10μA
输出侧最大输出导通电阻RON1114 Ω

IF=5mA、t<1s

IO=连续负载电流最大值

开路时漏电流ILEAK1nA

VOFF=负载电压最大值

端子间电容C0FF0.450.8pFV=0、f=100MHz,t<1s
输入输出间电容CI-O1pFf=1MHz、VS=0V
输入输出间电容绝缘电阻RI-O108VI-O=500VDC、ROH≦60%
动作时间tON0.080.2msIF=5mA 、RL=200Ω、VDD=20V(注2)
复位时间tOFF0.040.3ms
(注2): 动作· 复位时间