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G3VM-21GR1 MOS FET继电器

实现低C×R=5pF·Ω的新型MOS FET继电器负载电压20V型

  • 抑制输出信号衰减的导通电阻=1Ω的(标准)。
  • 开路时漏电流1.0nA(最大)。
RoHS適合
本ページは製品カタログからの抜粋した情報を記載しています。その他の製品情報はデータシート他各種データをご覧ください。

种类

形状 接点结构 端子种类 负载电压(最大)* 型号 最小包装单位
每杆装数量 每卷装数量
SOP4 1a 印刷基板用端子 20V G3VM-21GR 100
G3VM-21GR1(TR)
2,,500
* 负载电压(最大):表示峰值AC、DC。

绝对最大额定(Ta 25

项目 符号 额定 单位 条件
输入侧 LED正向电流 IF 50 mA  
直流正向电流降低比率 △IF/℃ -0.5 mA/℃ Ta≧25℃
LED反向电压 VR 5 V  
粘合部位温度 TJ 125  
输出侧 负载电压(峰值AC/DC) VOFF 20 V  
连续负载电流(峰值AC/DC) IO 300 mA  
导通电流降低比率 △ION/℃ -3.0 mA/℃ Ta≧25℃
粘合部位温度 TJ 125  
输入输出间耐压(注1) VI-O 1500 Vrms AC持续1分钟
使用环境温度 Ta -40~+85 无结冰、无凝露
贮藏温度 Tstg -55~+125 无结冰、无凝露
焊接温度条件 260 10s
(注1): 测量输入输出间的耐压时,分别对LED 针脚、受光侧针脚统一地施加电压。

电气性能(Ta 25

项目 符号 最小 标准 最大 单位 条件
输入侧 LED正向电压 VF 1.0 1.15 1.3 V IF=10mA
反向电流 IR 10 μA VR=5V
端子间电容 CT 15 pF V=0、f=1MHz
触发LED反向电流 IFT 1 4 mA IO=100mA
输出侧 最大输出导通电阻 RON 1 1.5 Ω IF=5mA、IO=300mA
开路时漏电流 ILEAK 1.0 μA VOFF=20V
端子间电容 C0FF 5 12 pF V=0、f=1MHz
输入输出间电容 CI-O 0.8 pF f=1MHz、VS=0V
输入输出间电容绝缘电阻 RI-O 1000 VI-O=500VDC、ROH≦60%
动作时间 tON 0.5 ms IF=5mA 、RL=200Ω、VDD=20V(注2)
复位时间 tOFF 0.5 ms

(注2): 动作· 复位时间


(单位:mm)
G3VM-21GR1
形G3VM-21GR:外形1
重量:0.1g
注. 标记内容与实际商品有所不同
实际焊盘尺寸(推荐值)(TOP VIEW)
形G3VM-21GR:外形2
端子配置/内部接线图
形G3VM-21GR:外形3

注. 产品的型号中没有标明“G3VM”。

※ 1引脚标记和对角的凹痕是冲压模具冲压出的印记