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G3VM-21LR1 MOS FET继电器

世界最小※SSOP封装、实现低C×R=5pF·Ω的新型MOS FET继电器、负载电压20V型

  •  抑制输出信号的减弱,导通电阻=1Ω(标准)。
  • ※2014年8月。本公司调查。
RoHS適合
本ページは製品カタログからの抜粋した情報を記載しています。その他の製品情報はデータシート他各種データをご覧ください。

■ 种类

形状 接点结构 端子种类  负载电压(最大) *  型号  最小包装单位
每卷装数量
SSOP4 1a  表面安装端子 20V G3VM-21LR1 ----
G3VM-21LR1(TR05) 500
(注):订货数量不满500个时,请垂询本公司经销商。可对应卷切品。
以卷切品购入的SSOP产品因无防湿包装,请在封装时进行焊接。
请参考「共通注意事项」。
*负载电压(最大):表示峰值AC、DC。

■ 绝对最大额定(Ta  25

项目  符号  额定  单位  条件 
输入侧  LED正向电流  IF 50  mA  ?
直流正向电流降低比率  △IF/℃  -0.5 mA/℃  Ta≧25℃ 
LED反向电压 VR ?
粘合部位温度  TJ 125  ℃  ?
输出侧  负载电压(峰值AC/DC)  VOFF 20  ?
连续负载电流(峰值AC/DC)  IO 450  mA  ?
导通电流降低比率  △Io/℃  -4.5 mA/℃  Ta ≧25℃ 
脉冲导通电流 Iop 1.35 A t=100ms、Duty=1/10
粘合部位温度  TJ 125  ℃  ?
输入输出间耐压(注1) VI-O 1500  Vrms  AC持续1分钟 
使用环境温度  Ta  -20~+85 ℃  无结冰、无凝露 
贮藏温度  Tstg  -40~+125 ℃  无结冰、无凝露 
焊接温度条件  —  260  ℃  10s 
(注1):测量输入输出间的耐压时,分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。 

■ 电气性能(Ta 25

项目 符号  最小  标准  最大  单位  条件 
输入侧  LED正向电压  VF 1.0  1.15  1.3  IF=10mA
反向电流  IR —  —  10  μA  VR=5V
端子间电容  CT —  15  —  pF  V=0、f=1MHz
复位LED正向电流 IFC 0.2 mA IOFF=10μA
触发LED正向电流  IFT —  mA  IO=100mA
输出侧  最大输出导通电阻  RON —  0.8  1.2  Ω  IF=5mA、IO=450mA、t=10ms
开路时漏电流  ILEAK 1.0 μA VOFF=20V Ta=50℃
端子间的电容 C0FF 5 12 pF V=0、f=100MHz T<1S
输入输出间电容  CI-O —  0.8  —  pF  f=1MHz、VS=0V
输入输出间电容绝缘电阻  RI-O 1000   108 —  MΩ  VI-O=500VDC、ROH≦60%
动作时间  tON —  0.2 0.5 ms  IF=5mA、RL=200Ω、VDD=10V(注2)
复位时间  tOFF —  0.2 0.5 ms 

(注2): 动作· 复位时间 


(单位:mm)
形G3VM-21LR1
形G3VM-21LR1:外形1
重量:0.3g
注. 标记内容与实际商品有所不同
实际焊盘尺寸(推荐值)(TOP VIEW)
形G3VM-21LR1:外形2
端子配置/内部接线图
形G3VM-21LR1:外形3
注. 产品的型号中没有标明:G3VM