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G3VM-351H MOS FET继电器

将MOS FET与红外发光二极管进行光耦合的高2.1mm的薄小平型外壳封装MOS FET继电器

  • G3VM-S3系列已经改良更新。
  • 连续负载电流110mA。
  • 输入输出间耐压1500Vrms。
RoHS適合
本ページは製品カタログからの抜粋した情報を記載しています。その他の製品情報はデータシート他各種データをご覧ください。

■ 种类

接点结构 端子种类 负载电压 型号 最小包装单位
固定杆装数量 编带包装数量
1a 表面安装端子 AC350V峰值 G3VM-351H 75 — 
G3VM-351H(TR) — 

2,500

连续负载电流(最大),负载电压(最大):表示峰值AC、DC。

注1:带状包装(表面安装端子型)无标准在库机种。

注2:请购带状包装(表面安装端子型)时,请在型号末位加上(TR)。


 

绝对最大额定(Ta  25

项目 符号 额定 单位 条件
输入侧 LED正向电流 IF 50 mA  
直流正向电流降低比率 △IF/℃ -0.5 mA/℃ Ta≥25℃
LED反向电压 VR 5 V  
粘合部位温度 TJ 125  
输出侧 负载电压(峰值AC/DC) VOFF 350 V  
连续负载电流 A连接 Io 110 mA  
B连接 110
C连接 220
导通电流降低比率 A连接 △I0/℃ -1.1 mA/℃ Ta≥25℃
B连接 -1.1
C连接 -2.2
粘合部位温度 TJ 125  
输入输出间耐压(注1) VI-O 1500 Vrms AC持续1分钟
使用环境温度 Ta -40~+85 无结冰、无凝露
贮藏温度 Tstg -55~+125 无结冰、无凝露
焊接温度条件 260 10s
(注1):测量输入输出间的耐压时,分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。

电气性能(Ta 25

项目 符号 最小 标准 最大 单位 条件
输入侧 LED正向电压 VF 1 1.15 1.3 V IF=10mA
反向电流 IR 10 μA VR=5V
端子间电容 CT 30 pF V=0、f=1MHz
触发LED正向电流 IFT 1 3 mA IO=110mA
输出侧 最大输出导通电阻 A连接 RON 25 35 Ω IF=5mA、IO=110mA、t<1s
35 50 Ω
IF=5mA、IO=110mA
B连接 28 40 Ω IF=5mA、IO=1100mA
C连接 14 20 Ω IF=5mA、IO=2200mA
开路时漏电流 ILEAK 1.0 μA VOFF=350V
端子间电容 COFF .30 pF V=0、f=1MHz
输入输出间电容 CI-O 0.8 pF f=1MHz、VS=0V
输入输出间电容绝缘电阻 RI-O 1000 VI-O=500VDC、RoH≦60%
动作时间 tON 0.3 1.0 ms IF=5mA、RL=200Ω、VDD=20V(注2)
复位时间 tOFF 0.1 1.0 ms

(注2): 动作·复位时间


(单位:mm)
G3VM-351H


质量:0.13g
※标记内容与实际商品有所不同。
安装衬垫尺寸(推荐值)(TOP VIEW)

端子配置/内部接线图(TOP VIEW)